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脑洞c各种核壳辅催化剂的制备及H2O2光合作用性能与核结金属功函数的关系。通过成功调整界面能量学，底洞BiVO4生成的H2O2在全光谱下AQY为3.0%，STH效率为0.73%，这是无机半导体体系的新记录。

为了解决太阳辐射的时空波动问题，考古一个策略是通过人工光合作用将太阳能捕获为可储存和可运输的太阳能燃料(例如H2和H2O2)。脑洞c,d在BiVO4上负载Ag/Pd粒子的扫描透射电子显微镜(STEM)-EDS元素映射。底洞参考文献：Liu,T.,Pan,Z.,Kato,K.etal.Ageneralinterfacial-energetics-tuningstrategyforenhancedartificialphotosynthesis.NatCommun13,7783(2022).https://doi.org/10.1038/s41467-022-35502-z本文由春国供稿。

核/壳Ag/Pd共催化剂的构建降低了BiVO4{010}面的肖特基势垒，考古而不影响表面反应，导致能量学和电荷分离的整体不对称性增强。脑洞c有效界面能量调节和增强人工光合作用的一般方法。

【核心创新点】本研究证明了用于界面能量调节的核/壳助催化剂结构的可行性，底洞并且证明了其对于增强光合作用系统中的电荷分离和性能的高度通用性。

考古©2022SpringerNature图4:光载流子分布的模拟。脑洞图2.二维In2Se3薄膜的相位控制机制。

底洞这种在α-β′异相交界处的可极化的内置电位场可以为器件提供更高的磁滞效应。考古（图3g）表明由作者合成的二维β-In2Se3制成的场效应晶体管具有较高的电流开/关比率以及相当大的迁移率。

脑洞这种突然和不可逆的相变以及α-In2Se3薄膜中明显的皱纹揭示了薄膜分层和界面应变释放是这种相变的主要原因（图2i）。因此，底洞这种二维FE异相结中的高载流子迁移率和强大的NVM能力将为未来的内存逻辑器件开辟新的途径。